规格书 |
IPL60R299CP |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 3,000 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Standard |
漏极至源极电压(VDSS) | 650V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 11.1A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 299 mOhm @ 6.6A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 3.5V @ 440µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 22nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 1100pF @ 100V |
功率 - 最大 | 96W |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | 4-TSFN Exposed Pad |
供应商器件封装 | PG-VSON-4 |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
包装 | 4VSON EP |
通道模式 | Enhancement |
最大漏源电压 | 600 V |
最大连续漏极电流 | 11.1 A |
RDS -于 | 299@10V mOhm |
最大门源电压 | 20 V |
典型导通延迟时间 | 10 ns |
典型上升时间 | 5 ns |
典型关闭延迟时间 | 40 ns |
工作温度 | -40 to 150 °C |
安装 | Surface Mount |
标准包装 | Tape & Reel |
P( TOT ) | 96W |
匹配代码 | IPL60R299CP |
R( THJC ) | 1.3K/W |
LogicLevel | NO |
单位包 | 3000 |
标准的提前期 | 10 weeks |
最小起订量 | 3000 |
Q(克) | 22nC |
LLRDS (上) | n.s.Ohm |
汽车 | NO |
LLRDS (上)在 | n.s.V |
我(D ) | 11.1A |
V( DS ) | 600V |
技术 | CoolMOS CP |
的RDS(on ) at10V | 0.299Ohm |
无铅Defin | RoHS-conform |
FET特点 | Standard |
封装 | Tape & Reel (TR) |
安装类型 | Surface Mount |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 11.1A (Tc) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 3.5V @ 440µA |
漏极至源极电压(Vdss) | 650V |
供应商设备封装 | PG-VSON-4 |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 299 mOhm @ 6.6A, 10V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 96W |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 1100pF @ 100V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 22nC @ 10V |
封装/外壳 | 4-TSFN Exposed Pad |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
其他名称 | IPL60R299CPCT |
系列 | IPL60R299 |
商品名 | CoolMOS |
零件号别名 | IPL60R299CPAUMA1 SP000841896 |
RoHS | RoHS Compliant |
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